光刻機是目前半導(dǎo)體芯片行業(yè)的核心設(shè)備，其技術(shù)含量、價值含量極高。光刻機設(shè)備涉及到系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項先進技術(shù)是半導(dǎo)體行業(yè)中技術(shù)含量最高的設(shè)備。

目前，世界上最先進的光刻機是荷蘭ASML的EUV光刻機。

有些朋友會問，UV紫外線與光刻機到底是什么關(guān)系，在芯片制造中為何要要用到紫外線？下面由紫外線手電筒制造廠家TANK007為你介紹。

1、半導(dǎo)體芯片光刻工藝原理

光刻的原理是在已經(jīng)切割好的晶圓（通常是多晶硅）上覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過掩模照射在晶圓表面，被紫外線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。

此后用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠，就實現(xiàn)了電路圖從掩模到晶片的轉(zhuǎn)移。

簡單來說，就用紫外線把多層電路圖雕刻在晶圓上，而在這過程中就必然要用到光刻機。目前滿足先進制程的7nm/5nm的光刻機采用EUV光刻工藝，而只有ASML制造的光刻機才可滿足。

2、UV紫外線與光刻機

前面我們提到，紫外線負(fù)責(zé)把線路圖雕刻到晶圓表面，而紫外線光源是由激光器負(fù)責(zé)產(chǎn)生，紫外線光源對芯片制程工藝具有決定性影響。

伴隨半導(dǎo)體工業(yè)節(jié)點的不斷提升，光刻機使用的紫外線波長從436nm、365nm的近紫外(NUV)激光提高到246nm、193nm(DUV)激光，DUV光刻機是目前大量應(yīng)用的光刻機，波長是193nm，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器。

從7nm開始Intel、三星和臺積電等晶圓代工企業(yè)開始引入EUV光刻技術(shù)，而使用極紫外光（EUV）作為光源的光刻機就是EUV光刻機。

你可以這么理解，全球最大的晶圓代工廠臺積電也只有從ASML購買EUV光刻機才能在7nm/5nm制程工藝上完成晶圓的雕刻。

要想知道EUV到底是什么東西，簡單來說EUV是UV紫外線中波段處于（10nm~100nm）的短波紫外線

本質(zhì)上，EUV極紫外光跟UV紫外線和光刻機的關(guān)系是一致的。從7nm開始Intel、三星和臺積電等晶圓代工企業(yè)開始引入EUV（波長10 ~ 15 nm，通常為13.5nm）光刻技術(shù)，而使用極紫外光（EUV）作為光源的光刻機就是EUV光刻機。

你可以這么理解，如果沒有EUV光刻機晶圓代工廠就無法生產(chǎn)先進制程的芯片如7nm或5nm芯片。

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